1. Prinsip Inti
Karakteristik silan: SiH₄ tidak berwarna, tidak berbau, dan sangat mudah terbakar. Dapat menyala secara spontan di udara (suhu penyalaan otomatis rendah). Reaksi pembakarannya adalah:
SiH4 + 2O2 ---suhu tinggi/penyalaan otomatis--- SiO2 (debu) + 2H2O
Reaksi ini melepaskan sejumlah besar panas; jika konsentrasinya tidak terkontrol, mudah meledak. Oleh karena itu, pengenceran terkontrol dan pembakaran paksa diperlukan.
Proses Kerja (Khas)
Pra-pengenceran: Gas buang pertama-tama dicampur dengan nitrogen/udara untuk mengontrol konsentrasi SiH₄ di bawah 25% dari batas ledakan bawah (LEL), sehingga menghilangkan risiko deflagrasi.
Insinerasi ruang bakar: Campuran memasuki ruang bakar bersuhu tinggi (di atas 800℃, biasanya dilengkapi dengan penyala dan penstabil api), di mana SiH₄ terbakar sempurna dan terurai menjadi debu SiO₂ dan uap air.
Pemurnian pasca perawatan:
Pemisahan siklon + tabung filter keramik/pengumpul debu baghouse untuk menangkap debu mikro SiO₂ (mencegah penyumbatan dan emisi);
Penggosokan dengan semprotan (opsional): Menghilangkan gas asam produk sampingan (seperti HF, HCl), amonia, dll., dan menetralkannya agar pembuangan sesuai standar.
Emisi: Gas yang dimurnikan dibuang ke atmosfer melalui kipas angin yang diinduksi. II. Fitur dan Keunggulan Inti
Keamanan Tinggi: Kontrol pengenceran + pemantauan nyala api + penghentian darurat, mengatasi risiko penyalaan/ledakan otomatis SiH₄;
Efisiensi Pemurnian Tinggi: Tingkat dekomposisi SiH₄ ≥99,9% (hingga 99,99% untuk model kelas atas), sepenuhnya menghilangkan bahaya zat yang sangat beracun dan mudah terbakar;
Desain Anti-Penyumbatan: Penghapusan debu multi-tahap + pembilasan balik, memecahkan masalah debu SiO₂ yang dengan mudah menyumbat saluran pipa/bahan filter;
Kemampuan Beradaptasi yang Kuat: Dapat menangani gas buang campuran yang mengandung SiH₄, NH₃, HF, dll., kompatibel dengan kondisi produksi berkelanjutan di industri semikonduktor/fotovoltaik.
2. Skenario Aplikasi Utama
Pembuatan wafer semikonduktor (epitaksi CVD/PECVD, oksidasi, proses pengendapan);
Sel surya/modul fotovoltaik (deposisi sel silikon kristal, pelapisan);
Panel LED/display (proses MOCVD, PECVD);
Pengolahan gas buang SiH₄ di industri lain seperti film tipis berbasis silikon dan persiapan gas khusus.
3. Poin Desain Utama dan Pengoperasian & Pemeliharaan
Keselamatan Pertama: Harus mencakup interlocking LEL, pemantauan nyala api, alarm suhu berlebih, pembersihan nitrogen/ventilasi darurat;
Inti Anti-Penyumbatan: Desain bidang aliran ruang bakar yang masuk akal, pemilihan bahan filter tahan suhu tinggi + pembilasan balik secara teratur untuk mencegah akumulasi SiO₂;
Pemilihan Bahan: Hastelloy/310S untuk zona suhu tinggi, bahan berlapis PP/FRP/fluor untuk zona pencucian, memastikan ketahanan terhadap korosi dan ketahanan suhu tinggi;
Pengoperasian & Pemeliharaan: Pembersihan debu secara teratur, pemeriksaan pembakar/detektor api, dan kalibrasi instrumen pemantauan untuk memastikan pengoperasian yang berkelanjutan dan stabil.
Informasi Tambahan
Alias: Silana pembakaran silinder, menara pembakaran darurat silan, menara insinerasi dan pemurnian gas buang silan;
Perbedaan dari RTO/insinerator biasa: Dirancang khusus untuk SiH₄ yang mudah terbakar dan berisiko meledak, menekankan pra-pengenceran, pembakaran stabil, anti-penyumbatan, dan pencegahan ledakan, daripada pembakaran VOC umum;
Kepatuhan: Memenuhi standar seperti 'Standar Emisi Komprehensif untuk Polutan Udara' dan 'Standar Emisi untuk Polutan dari Industri Semikonduktor,' menjadikannya solusi yang sesuai dengan standar umum untuk pengolahan gas buang SiH₄.